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參數(shù)：

芯片高度（um):600*600±30/670±30/890*890±30等

芯片厚度(um):600±30/670±30/280±30/3 00± 25μm等

有效面積(um):460*460/540*540/820*820等數(shù)值

Fowarrd Voltage V:＜1.3

Luminous Intensity Po:＞10 ＞14 ＞35等

Reverse Dark Current(nA)：<10

焊盤尺寸105μm±10μm/100μm±10μmReverse Dark Current(nA) 等數(shù)值

峰值波長:940typ

Junction CapacitancepF：3yp 4yp 7yp  12yp 13yp

特點(diǎn)：

NIP計(jì)劃類型：l

頂部（陰極）側(cè)面：鋁（Al）合金。

背面（陽極）側(cè)面：銀（Ag）合金

應(yīng)用：

該規(guī)范適用于 NIP 硅光電二極管芯片。