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屏蔽柵功率MOSFET參數(shù)：N溝道和P溝道，25V~250V/360A/0.72mΩ特點(diǎn)：極低Rdson/Qg/Qgd/FOM、高溫下電流能力更強(qiáng)、快速柔軟恢復(fù)體二極管特性、低Crss/Ciss,增強(qiáng)抗EMI能力。應(yīng)用:交流/直流電源的同步整流、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池充電器/電池保護(hù)電路、逆變器、隔離DCDC轉(zhuǎn)換器、UPS電源。