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平面高壓MOS

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產(chǎn)品詳情

參數(shù)：PD：25~500W  V(BR)DSS：500V、900V；ID：4.5~80A   RDS(on)：22~9300mΩ

特點(diǎn)：較高的擊穿電壓、較高的導(dǎo)通電阻

應(yīng)用：高頻和高電壓電源供應(yīng)、消費(fèi)電子和汽車(chē)電子、功率逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)