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IGBT吸收電容器

產(chǎn)品型號(hào)：

IGBT吸收電容器

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產(chǎn)品詳情

U=1.5UNDC（20℃，10s）

Range：0.047μF~9.0μF

420Vac~750Vac；700Vdc~3000Vdc

T Range：-40℃~105℃

特點(diǎn)：自感小，內(nèi)部溫升小。

適用范圍：廣泛應(yīng)用于高壓高頻脈沖電路，適合作為IGBT吸收電容。